設備用途:

適用于電子陶瓷與高溫結構陶瓷的燒結、玻璃的精密退火與微晶化、晶體的精密退火、陶瓷釉料制備、粉末冶金、納米材料的燒結、金屬零件淬火及需快速升溫工藝要求的熱處理，應用于電子元器件、新型材料及粉體材料的真空氣氛處理，材料在惰性氣氛環境下進行燒結。本設備具有可靠、操作簡單、控溫精度高、保溫效果好、溫度范圍大、爐膛溫度均勻性高等特點。綜合性能指標較高，處于國內水平。根據不同的使用氣氛及使用溫度，使用不同的加熱元件，型號，對需在惰性氣體環境下燒結的材料，本設備是一個非常好的選擇，同時也可滿足于不同工藝實驗而特殊制造。

設備簡介 :

該真空電阻爐以硅鉬棒為加熱元件，采用雙層殼體結構和30-50段程序控溫系統，移相觸發、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁材料，雙層爐殼間配有風冷系統。爐體采用整體密封，蓋板和爐門密封采用高溫硅膠板、爐門口安裝有真空系統、水冷系統等，氣體經過流量計后進入爐體，可以通氬氣、氮氣等惰性氣體，并能抽真空。

主要技術參數:

1. 加熱功率：   5KW

     加熱形式：   1500型硅鉬棒MoSi2

                       左右兩面加熱，溫場均勻，能耗低

 升溫速率建議:10℃/Min Max:20℃/Min

1. 爐膛尺寸：    300mm*200mm*200mm

                        400mm*300mm*300mm

                        500mm*400mm*400mm

2. 外形尺寸：    1800mm*1300mm*1600mm(高/寬/長）

3. 保溫材料：    1500型高純氧化鋁微晶體纖維，保溫性能好

4. 裝料方式：    前側裝料

5. 氣氛種類：    惰性氣體（氮氣，氬氣）

6. 常規中空度：  6.7x10^(-2) Pa

7. 極限真空度：  6.7x10^(-3) Pa

8. 極限充氣壓力：≤0.05Mpa

9. 長期使用壓力：≤0.04Mpa（微正壓、表壓）

10. 控制精度：    ±1 ℃

11. 熱電偶型號：N型

12. 溫控控制：    30段程序控溫系統，PID控制

13. 內外層爐殼：  SECC鋼板防銹處理，并經粉體烤漆處理

14. 設備表面溫度：≤60℃

15. 數據導出系統：可通過USB將升降溫工藝導出，曲線圖顯示

結構組成:

真空電阻爐主要由爐體、加熱保溫系統、真空系統、氣氛控制系統、水冷系統、電器控制系統等組成。