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砷化鎵單晶爐

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詳細信息
VGF 、HB 、HGF 、 VB
產品特點：
★用于GaAs等化合物晶體的生長           ★按結構形式:垂直生長,水平生長
★按生長方式:梯度生長及移動生長          ★晶體生長尺寸: 2-6寸
★設備分類:HB 、HGF 、VGF 、 VB      ★提供的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的晶體薄膜生長制成設備,以滿足化合物半導體器件的生產、研發工藝。
主要技術指標：
★結構型式：單管水平式，加熱爐體可左右移動     ★適合2~4″晶體生長工藝（可定制）。
★爐體有效加熱長度:1600mm             ★高工作溫度：1300℃
★恒溫區精度（靜態閉管）：±0.5℃
★升溫速率（室溫~1260℃）：斜變升溫速率可控在0~15℃/min
★降溫（1300℃~900℃）：0~5℃/min          ★供電電源：三相五線~380V±10% 50Hz

聯系方式
  • 聯系人： 陳慶建 先生
  • 職位： 銷售部經理
  • 傳 真： 00-傳真號碼
  • 電話： 0532-87671566
  • 手機： 13864877323
  • 地 址： 山東省 青島市 山東 青島市城陽區流亭工業園協榮路3號
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