KRi 離子源常見工藝應用
通過使用上海伯東美國 KRi 離子源可以對材料進行加工, 真空環境下, 實現沉積薄膜, 干式蝕刻和材料表面改性等工藝.
KRi 離子源常見工藝應用
工藝應用 | 簡稱 |
In-situ substrate preclean 預清潔 | PC |
Ion-beam modification of material and surface properties | IBSM |
- Surface polishing or smoothing 表面拋光 | |
- Surface nanostructures and texturing | |
- Ion figuring and enhancement 離子計算和增強 | |
- Ion trimming and tuning 離子修整和調諧 | |
- Surface-activated bonding 表面激活鍵合 | SAB |
Ion-beam-assisted deposition 輔助鍍膜 | IBAD |
Ion-beam etching 離子蝕刻 | IBE |
- Reactive ion-beam etching 活性離子束蝕刻 | RIBE |
- Chemically assisted ion-beam etching 化學輔助離子束蝕刻 | CAIBE |
Ion-beam sputter deposition 離子濺射 | IBSD |
- Reactive ion-beam sputter deposition 反應離子濺射 | RIBSD |
- Biased target ion-beam sputter deposition | BTIBSD |
Direct deposition 直接沉積 | DD |
- Hard and functional coatings |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產寬束離子源, 根據設計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領域, 上海伯東是美國 KRi考夫曼公司離子源中國總代理.
豫公網安備41010502000017號 
